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饱和磁通量的电阻率

Fe--Sm--O合金膜和Fe--Ho--O合金膜检查了它们的电阻率对Fe含量。

测定在400℃的温度下进行了退火的这些合金膜的电阻。测量结果示于图2中。 3.在图。在图3中,Fe-Sm-O合金膜用(-。小圆圈-。小圆圈-)表示,Fe-Ho-O型合金膜用(-。实心-。)表示。圆圈-。)。对于两种合金膜,随着Fe含量的减少,电阻率均增加。

在旋转磁场中于400℃的温度下对具有Fed Hfe Of组成的合金膜进行退火6小时,以检查其饱和磁通密度和电阻率对Hf含量。在所检查的Fed Hfe的合金膜中,Hf含量变化,Fe含量保持在45.6原子%以上,O含量在33.5至36.9原子%的范围内。测量结果示于图2和3中。 4和5。

Hf含量的增加导致饱和磁通密度的减少。

另外,通过增加Hf含量,电阻率增加。此外,在热处理之前,检查了具有Fed Hfe Of组成的这些合金膜的饱和磁通密度和不同组成比下的电阻率。测量结果示于图2中。 6.在图。在图6中,指示组成比的点(。)上方的值是电阻率(μΩ.cm),下面给出的值是饱和磁通密度(T)。

展示出了在磁场中经过热处理的软磁合金的矫顽力和磁导率,以及饱和磁通密度和比电阻。

软磁合金


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