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关于MR传感器

详细说明了基本的MR和GMR读取结构。对于MR传感器,恒定电流穿过镍/铁(NiFe)合金膜,在材料中产生磁场。软磁合金作为传感器接近磁盘上的磁化区域,磁化区域的新磁场结果在NiFe中的磁场方向发生变化膜,产生电压变化。如图所示,该电压磁盘磁场的变化是非线性的,并且设计一个的电子系统来说明这些磁信号将很困难。然而,通过将层磁性软的膜放入与NiFe MR膜接近,但分开通过高物从它的方向iFe和NiFe中的磁化强度保持在45°附近电压的变化是线性的,并且是的。标记为SAL(软相邻层)的结构是是当今行业大多数MR负责人的基础。读出放大器和数据通道设计12数据区域密度投影磁头的演变。使用SAL MR磁头的HDD可以使用。随着面密度的持续增加,MR头终会电压变化,导致较低的信号幅度。此下降发生在5吉比特/平方英寸附近。新的传感器设计,GMR磁头的电压变化很大面密度下的信号幅度过5吉比特/英寸2。在GMR传感器中,两张胶片分开通过薄的导电垫片可以提供对磁盘磁场的电压变化响应。 GMR传感器利用了电子,并遵循传导的原理电子的自旋方向平行于影片的磁方向可以通过结构,不产生电压变化。


软磁合金

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